特許
J-GLOBAL ID：201403044282639443

電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料

発明者：
石原 健太郎

石原 健太郎 について


出願人/特許権者：
日本電気硝子株式会社

日本電気硝子株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-169507
公開番号（公開出願番号）：特開2014-028713
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】ファイアスルー性を高める効果が大きいと共に、半導体層中に異種層を形成させ難く、しかもn型半導体層を侵食させ難い鉛系ガラスを創案することにより、シリコン太陽電池の光電変換効率を高める。【解決手段】本発明の電極形成用ガラスは、ガラス組成として、質量%で、PbO 60〜95%、B2O3 0〜20%、SiO2+Al2O3 1〜30%、TeO2 0.1〜30%を含有し、シリコン太陽電池に用いることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス組成として、質量%で、PbO 60〜95%、B2O3 0〜20%、SiO2+Al2O3 1〜30%、TeO2 0.1〜30%を含有し、シリコン太陽電池に用いることを特徴とする電極形成用ガラス。
IPC (2件)：
C03C 8/18 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
C03C8/18 ,  H01L31/04 H
Fターム (76件)：
4G062AA08 ,  4G062AA09 ,  4G062BB01 ,  4G062BB07 ,  4G062DA01 ,  4G062DA02 ,  4G062DA03 ,  4G062DA04 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DB03 ,  4G062DB04 ,  4G062DC01 ,  4G062DC02 ,  4G062DC03 ,  4G062DC04 ,  4G062DD01 ,  4G062DD02 ,  4G062DD03 ,  4G062DE01 ,  4G062DE02 ,  4G062DE03 ,  4G062DF06 ,  4G062DF07 ,  4G062DF08 ,  4G062EA01 ,  4G062EA02 ,  4G062EB01 ,  4G062EB02 ,  4G062EC01 ,  4G062EC02 ,  4G062ED01 ,  4G062ED02 ,  4G062ED03 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EE03 ,  4G062EF01 ,  4G062EF02 ,  4G062EF03 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FB04 ,  4G062FC01 ,  4G062FC02 ,  4G062FC03 ,  4G062FC04 ,  4G062GA01 ,  4G062GA02 ,  4G062GA03 ,  4G062GD02 ,  4G062GD03 ,  4G062GD04 ,  4G062HH01 ,  4G062HH02 ,  4G062HH03 ,  4G062HH04 ,  4G062HH11 ,  4G062HH12 ,  4G062NN40 ,  4G062PP12 ,  4G062PP13 ,  4G062PP14 ,  4G062PP15 ,  4G062PP16 ,  5F151AA02 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151GA04 ,  5F151HA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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