半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明 , 山ノ井傑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-184474
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041974
出願日： 2012年08月23日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

【課題】ソース拡散層に接する位置に、不純物濃度の変化が急峻な領域を備える半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態による半導体装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記基板の表面に前記ゲート電極を挟むように形成された、第1導電型のソース拡散層および第2導電型のドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間に、前記ソース拡散層に接するように形成された接合形成領域とを備える。さらに、前記接合形成領域は、前記第1導電型のソースエクステンション層と、前記ソースエクステンション層の上方に形成された、前記第2導電型のポケット層と、前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間に形成され、炭素を含有しており、前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間での不純物の拡散を抑制する拡散抑制層とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記基板の表面に前記ゲート電極を挟むように形成された、第1導電型のソース拡散層および前記第1導電型と逆導電型の第2導電型のドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間に、前記ソース拡散層に接するように形成された接合形成領域とを備え、前記接合形成領域は、前記第1導電型のソースエクステンション層と、前記ソースエクステンション層の上方に形成された、前記第2導電型のポケット層と、前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間に形成され、炭素およびゲルマニウムを含有しており、前記ソースエクステンション層と前記ポケット層との間での不純物の拡散を抑制する拡散抑制層とを含み、前記ゲート絶縁膜は、前記基板上に形成された第1の絶縁膜部分と、前記基板上に前記第1の絶縁膜部分と隣接して形成された第2の絶縁膜部分とを含み、前記ゲート電極は、前記第1の絶縁膜部分上に形成された第1の電極部分と、前記第2の絶縁膜部分上に形成された第2の電極部分と、前記第1の電極部分と前記第2の電極部分とを接続するように形成された第3の電極部分とを含む、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/66 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/66 T , H01L29/78 301J , H01L29/78 622 , H01L29/78 618F

Fターム (106件)：

5F110AA26 , 5F110BB13 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG36 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA14 , 5F140AA29 , 5F140AC13 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF40 , 5F140BF42 , 5F140BF46 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG31 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH02 , 5F140BH06 , 5F140BH09 , 5F140BH10 , 5F140BH14 , 5F140BH27 , 5F140BH30 , 5F140BH35 , 5F140BH36 , 5F140BH45 , 5F140BH47 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC15 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (2件)

MOS FET
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-065285 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭63-099580

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