半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人サトー国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-204359
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060263
出願日： 2012年09月18日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：

【課題】アナログ回路が形成された半導体チップを樹脂モールドして構成されるものにあって、熱応力に起因するアナログ回路の特性変動を抑える。【解決手段】半導体装置11は、電池電圧検出アナログ回路12aが形成された第1の半導体チップ12を含み、樹脂モールド17して構成される。第1の半導体チップ12の上面に、アナログ回路12aの形成領域全体を覆うように位置して、該第1の半導体チップ12と同種材料からなる第2の半導体チップ13を、第1のDAF18を介して配置する。第1の半導体チップ12の下面側にも、アナログ回路12aの形成領域全体を覆うように位置して、第2の半導体チップ13と同種で同等の厚みの第3の半導体チップ14を、第1のDAF18と同種の第2のDAF19を介して配置する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電池電圧検出アナログ回路(12a、32a、32b)が形成された第1の半導体チップ(12、32)を含み、樹脂モールド(17、24)して構成される半導体装置(11、31、41、51、61、71、81、91)であって、前記第1の半導体チップ(12、32)の上面には、前記アナログ回路(12a、32a、32b)の形成領域全体を覆うように位置して、該第1の半導体チップ(12、32)と同種材料からなる第2の半導体チップ(13、33、42、43、62、72)が接着部材(18、34、44、45)を介して配置されていると共に、前記第1の半導体チップ(12、32)の下面側にも、前記アナログ回路(12a、32a、32b)の形成領域全体を覆うように位置して、前記第2の半導体チップ(13、33、42、43、62)と同種で同等の厚みの第3の半導体チップ(14、52、53、63、73)が、前記接着部材(18、34、44、45)と同種の接着部材(19.82)を介して配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/18 , H01L 25/07 , H01L 25/065

FI (1件)：

H01L25/08 Z

引用特許：

出願人引用 (6件)

マルチチップパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-059772 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-025780 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-240825 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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