特許
J-GLOBAL ID：201403045317178408

消耗電極真空アーク再溶解法によるメタロイドの精製

発明者：
レイモンド・ジェイ・ロバーツ

レイモンド・ジェイ・ロバーツ について


出願人/特許権者：
コンサーク コーポレイション

コンサーク コーポレイション について


代理人 (1件)： アクシス国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-527183
公開番号（公開出願番号）：特表2014-529568
出願日： 2012年08月15日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
要約：
予熱された電極が短CEVAR底部開放型るつぼを使用するCEVAR炉システムで溶解された後、制御された加熱及び冷却によりインゴットを作り出すことにより、予熱された固体電極の形態のシリコン等のメタロイドがCEVAR精製法によって精製される。
請求項（抜粋）：
CEVAR炉に配置された短CEVAR底部開放型るつぼで実行されるCEVAR精製法においてシリコン電極からシリコンインゴットを製造する方法であって、 CEVAR法固有抵抗を有する予熱されたシリコン電極を形成するため、CEVAR精製法の開始前にシリコン電極の溶解点未満の温度にシリコン電極を加熱するステップと、 短CEVAR底部開放型るつぼの開放底部における上昇した温度でのシリコンインゴットの形成のために、CEVAR精製法により前記予熱されたシリコン電極を溶解するステップと、 前記上昇した温度のシリコンインゴットを、短CEVAR底部開放型るつぼに隣接する加熱システムに通過させるステップと、 シリコンインゴットをひび割れを伴うことなく冷却するため、シリコンインゴットが底部開放型るつぼを出る際、前記上昇した温度のシリコンインゴットに対し温度管理された熱環境を提供するために前記加熱システムを調整するステップとを含む方法。
IPC (1件)：
C01B 33/037
FI (1件)：
C01B33/037
Fターム (13件)：
4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072RR22 ,  4G072RR28 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4K045AA02 ,  4K045BA05 ,  4K045GA08 ,  4K045GB02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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