特許

J-GLOBAL ID：201403045355334367

パターン形成方法、これに用いられる組成物、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

発明者： 山本 慶 ,  上羽 亮介
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (3件)： 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-133229
公開番号（公開出願番号）：特開2013-257435
出願日： 2012年06月12日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】超微細の幅又は孔径を有するトレンチパターン又はホールパターンを、ブロッブ欠陥の発生が充分に低減された状態で形成可能なパターン形成方法、これに用いられる組成物、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。【解決手段】(A)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(I)を用いて第1の膜を形成し、露光、現像し、ネガ型のパターンを形成する工程、ネガ型のパターンの上に、(A’)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む除去液に対する溶解性が減少する化合物を含有する組成物(II)を用いて第2の膜を形成し、化合物(B)から発生した酸と化合物(A’)とが反応していない領域を、除去液により除去する工程を含むパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(ア)(A)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(I)を用いて第1の膜を形成する工程、 (イ)前記第1の膜を露光する工程、 (ウ)前記露光した第1の膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型のパターンを形成する工程、 (エ)前記ネガ型のパターンの上に、(A’)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む除去液に対する溶解性が減少する化合物を含有する組成物(II)を用いて第2の膜を形成する工程、 (オ)前記工程(ウ)で形成されたネガ型パターンに含有される前記化合物(B)から発生した酸の作用により、前記第2の膜に含有される前記化合物(A’)の極性を増大させる工程、及び、 (カ)前記第2の膜において、前記化合物(B)から発生した酸と前記化合物(A’)とが反応していない領域を、有機溶剤を含む除去液により除去する工程 を含有するパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 569E

Fターム (71件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096HA05 ,  2H125AF16P ,  2H125AF17P ,  2H125AF20P ,  2H125AF21P ,  2H125AF22P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM12P ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM32P ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM91P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN08P ,  2H125AN37P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN65P ,  2H125AN74P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA18 ,  5F146LA12 ,  5F146LA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-128797   出願人：富士フイルム株式会社
• 微細パターン形成方法、及びパターン微細化用被覆形成剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-160631   出願人：東京応化工業株式会社
• 微細パターン形成方法、及びパターン微細化用被覆形成剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-266298   出願人：東京応化工業株式会社