特許
J-GLOBAL ID：201403045368307318

半導体装置の製造方法

発明者：
前川 和義

前川 和義 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-254926
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103291
出願日： 2012年11月21日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】半導体ウエハを貼り合わせる工程を有する半導体装置の製造工程において、2枚の半導体ウエハ間にボイドが生じることに起因して、貼り合わせた半導体ウエハ間の接合強度が低下することを防ぐ。【解決手段】2枚の半導体ウエハの表面を純水を用いて洗浄した後、各半導体ウエハに熱処理を施すことで、半導体ウエハの表面に吸着している水分などを脱離させる。続いて、各半導体ウエハに対してプラズマ処理を行った後、2枚の半導体ウエハを貼り合わせ、高温で熱処理することで両ウエハ間を強固に結合させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a1)第1半導体基板および第2半導体基板を準備する工程と、 (b1)前記第1半導体基板の主面側の第1面および前記第2半導体基板の主面側の第2面を洗浄する工程と、 (c1)前記(b1)工程の後、前記第1半導体基板の第1面および前記第2半導体基板の第2面の吸着物を脱離させる工程と、 (d1)前記第1半導体基板の第1面および前記第2半導体基板の第2面を活性化させる工程と、 (e1)前記(c1)工程および前記(d1)工程の後、前記第1半導体基板の第1面および前記第2半導体基板の第2面を貼り合わせて仮接合する工程と、 (f1)前記(e1)工程の後、前記第1半導体基板および前記第2半導体基板を熱処理することで、前記第1半導体基板および前記第2半導体基板間の接合強度を高める工程と、 を有する、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
H01L21/02 B ,  H01L27/14 D
Fターム (8件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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