特許
J-GLOBAL ID:201403045788767284
液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-130258
公開番号(公開出願番号):特開2013-254121
出願日: 2012年06月07日
公開日(公表日): 2013年12月19日
要約:
【課題】液晶表示装置に用いられるTFTの構造を単純化すること。【解決手段】アレイ基板2と、アレイ基板2上に形成された映像信号線Yと走査信号線Xにより区画された複数の画素と、前記画素毎に配置されるTFT51と、前記画素内に配置される画素電極と、を有し、TFT51のチャネル半導体層と前記画素電極は一続きに連続する酸化物半導体の層6であり、ゲート電圧が印加されていない状態において、前記チャネル半導体層の電気伝導率より前記画素電極の電気伝導率が大きい液晶表示装置。【選択図】図5
請求項(抜粋):
アレイ基板と、
前記アレイ基板上に形成された映像信号線と走査信号線により区画された複数の画素と、
前記画素毎に配置されるTFT(Thin Film Transistor)と、
前記画素内に配置される画素電極と、
を有し、
前記TFTのチャネル半導体層と前記画素電極は一続きに連続する酸化物半導体の層であり、
ゲート電圧が印加されていない状態において、前記チャネル半導体層の電気伝導率より前記画素電極の電気伝導率が大きい
液晶表示装置。
IPC (4件):
G02F 1/136
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/13
FI (5件):
G02F1/1368
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 612C
, H01L29/78 619B
, G02F1/13 101
Fターム (31件):
2H088FA18
, 2H088HA02
, 2H088HA06
, 2H088HA08
, 2H088HA12
, 2H088MA20
, 2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092JA26
, 2H092JB69
, 2H092KA08
, 2H092KA12
, 2H092NA07
, 2H092NA27
, 5F110BB02
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110EE02
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110FF02
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HM12
, 5F110HM19
, 5F110NN03
, 5F110NN46
, 5F110NN73
引用特許: