特許
J-GLOBAL ID：201403045862994069

誘電体薄膜形成用組成物及び誘電体薄膜の形成方法並びにこの方法で形成された誘電体薄膜

発明者：
桜井 英章

桜井 英章 について

, 
藤井 順

藤井 順 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-046245
公開番号（公開出願番号）：特開2014-172778
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】薄膜キャパシタの誘電体層等に用いた際に、薄膜キャパシタとしての諸特性のうちの、特に、電圧を変えたときの容量変化率、絶縁耐圧及び静電容量特性を同時に向上させ得るPLZT誘電体薄膜を形成するための組成物及び誘電体薄膜の形成方法並びにこの方法で形成された誘電体薄膜を提供する。【解決手段】PLZT誘電体薄膜を形成するための有機金属化合物含有組成物であり、組成物に含まれるZr原子とTi原子の和を100とするとき、Zr原子とTi原子の原子比Zr/Tiが55/45〜80/20であり、Pb原子とLa原子の和が103〜115であり、かつLa原子が8〜12であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
PLZT誘電体薄膜を形成するための有機金属化合物含有組成物において、 前記組成物に含まれるZr原子とTi原子の和を100とするとき、 Zr原子とTi原子の原子比Zr/Tiが55/45〜80/20であり、 Pb原子とLa原子の和が103〜115であり、かつLa原子が8〜12である ことを特徴とする誘電体薄膜形成用組成物。
IPC (6件)：
C01G 25/00 ,  C04B 35/491 ,  H01B 3/12 ,  H01B 3/00 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12
FI (7件)：
C01G25/00 ,  C04B35/49 Y ,  H01B3/12 301 ,  H01B3/00 F ,  H01B3/00 H ,  H01G4/06 102 ,  H01G4/12 397
Fターム (34件)：
4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08 ,  5E001AB01 ,  5E001AB06 ,  5E001AE00 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082EE05 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5G303AA01 ,  5G303AB05 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB15 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM