特許
J-GLOBAL ID:201403047842097144
内部電界が抑制された太陽光発電装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
羽鳥 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-229453
公開番号(公開出願番号):特開2014-082340
出願日: 2012年10月17日
公開日(公表日): 2014年05月08日
要約:
【課題】n型半導体とp型半導体を貼り合わせた構造を有するPVのpn接合面に発生する内部電界層による発電効率の悪化を防止すること。【解決手段】n型半導体とp型半導体を貼り合わせた構造を有する結晶系シリコン太陽電池と、該太陽電池に、太陽光が届いた際、pn接合面のn型半導体側に生じる伝導電子を瞬時に吸収させる構造とを有し 上記構造は、上記太陽電池に付属するキャパシタと該キャパシタに並列に接続された蓄電池とからなる、上記太陽電池のpn接合面に発生する内部電界が抑制された太陽光発電装置。【選択図】図3
請求項(抜粋):
n型半導体とp型半導体を貼り合わせた構造を有する結晶系シリコン太陽電池と、該太陽電池に、太陽光が届いた際、pn接合面のn型半導体側に生じる伝導電子を瞬時に吸収させる構造とを有し
上記構造は、上記太陽電池に付属するキャパシタと該キャパシタに並列に接続された蓄電池とからなる、上記太陽電池のpn接合面に発生する内部電界が抑制された太陽光発電装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/04 L
, H01L31/04 R
Fターム (6件):
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151DA03
, 5F151JA28
, 5F151JA30
, 5F151KA03
引用特許:
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