特許
J-GLOBAL ID：201403048711340031

パターン形成方法

発明者：
河野 佑介

河野 佑介 について

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坂本 武士

坂本 武士 について

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石川 幹雄

石川 幹雄 について

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人見 陽一

人見 陽一 について

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有塚 祐樹

有塚 祐樹 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (6件)： 藤枡 裕実 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介 ,  立石 英之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198345
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053536
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】芯材として有機材料を用いる側壁法を行う際に、複数種類のパターンを精度良く作製する。【解決手段】基材の第1領域に有機材料を含む芯材パターンを形成する工程と、基材の第1領域と第2領域に芯材パターンを覆う第1マスクを形成する工程と、第1マスク上にポジ型レジストを塗布してレジスト層を形成し、第2領域の所定領域のレジスト層に化学線を照射してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターン上及び第2領域に第2マスクを形成した後、リフトオフする工程と、第2マスクを介して第1マスクをエッチングし、芯材パターンの側壁上と第2マスク下に第1マスクが残存するように第1マスクを除去する工程と、芯材パターンを除去し第1領域に側壁パターンを形成する工程と、側壁パターン及び第1マスクを介して基材をエッチングして第1領域に第1の凹凸パターンと第2領域に第2の凹凸パターンとを形成する工程とを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1領域と第2領域とを備える基材を準備する工程と、 前記第1領域に有機材料を含む芯材パターンを形成する工程と、 前記第1領域と前記第2領域に前記芯材パターンを覆う第1マスクを形成する工程と、 前記第1マスク上にポジ型レジストを塗布してレジスト層を形成し、前記第2領域の所定領域の前記レジスト層に化学線を照射して前記第2領域の所定領域が開口するレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターン上及び前記レジストパターンから露出した前記第2領域に第2マスクを形成する工程と、 前記レジストパターン及び前記レジストパターン上の前記第2マスクを除去する工程と、 前記第2マスクを介して前記第1領域と前記第2領域の前記第1マスクをエッチングし、前記芯材パターンの側壁上と、前記第2マスク下に前記第1マスクが残存するように前記第1マスクの一部を除去する工程と、 前記芯材パターンを除去し、前記第1領域に側壁パターンを形成する工程と、 前記側壁パターン及び前記第2マスク下に存在していた前記第1マスクを介して前記基材をエッチングすることにより、前記第1領域に第1の凹凸パターンと、前記第2領域に第2の凹凸パターンとを形成する工程と、を有するパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/26 ,  B29C 59/02
FI (5件)：
H01L21/30 570 ,  H01L21/30 502D ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/26 513 ,  B29C59/02 Z
Fターム (20件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA06 ,  2H096HA17 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PW31 ,  5F146AA32 ,  5F146JA22 ,  5F146LA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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