特許
J-GLOBAL ID：200903023556412249
リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269217
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097066
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 単層ポジ型一段階プロセスで、レジスト層に所定の形状のマイクログルーブを有し、かつ、高解像度でパターン寸法制御性・耐熱性・残膜性に優れたリフトオフ工程用レジストパターンを形成することができるリフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を得る。【解決手段】 (1)ポリスチレン換算重量平均分子量が2,000〜20,000であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を2.5〜27モル%の割合で1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換したノボラック樹脂、(2)フェノール性水酸基を有し、ベンゼン環の数が2〜20個であり、かつ、フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が0.5〜2.5である低核体を配合する。
請求項（抜粋）：
(1)下記一般式(1)で示される1又は2以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が2,000〜20,000であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を2.5〜27モル%の割合で1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換した1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基導入ノボラック樹脂、【化1】(但し、式中mは0〜3の整数である。)(2)フェノール性水酸基を有し、ベンゼン環の数が2〜20個であり、かつ、フェノール性水酸基の数とベンゼン環の数の比率が0.5〜2.5である下記一般式(2)又は(3)で示される低核体【化2】〔但し、mは0〜2の整数、nは0〜2の整数であり、nが0の場合、mは1又は2である。R1〜R6はそれぞれ独立して水素原子、メチル基、下記式(4)で示される基又は下記式(5)で示される基である。Aは、nが0でかつmが1の場合、水素原子、メチル基又は下記式(4)で示される基、nが0でかつmが2の場合、一方がメチレン基又は下記式(6)で示される基で他方が水素原子、メチル基又は下記式(4)で示される基、nが1の場合、メチレン基又は下記式(6)で示される基である。nが2の場合、mが1のときはAはメチン基又は下記式(7)で示される基、mが2のときはAの一方がメチレン基又は下記式(6)で示される基で他方がメチン基又は下記式(7)で示される基である。また、hは重量平均分子量200〜2,500を満たす数を示す。【化3】(p,q,r,s,tはそれぞれ0〜3の整数である。)〕を配合したことを特徴とするリフトオフ法用ポジ型レジスト組成物。
IPC (10件)：
G03F 7/023 501
, G03F 7/023 511
, G03F 7/004 501
, G03F 7/26 513
, G03F 7/38 501
, G03F 7/38 511
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
G03F 7/023 501
, G03F 7/023 511
, G03F 7/004 501
, G03F 7/26 513
, G03F 7/38 501
, G03F 7/38 511
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 576
, H01L 21/302 K
, H01L 21/88 G
