特許
J-GLOBAL ID：201403048880465889
エッチング剤、エッチング方法及びエッチング剤調製液
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-003786
公開番号（公開出願番号）：特開2012-080128
特許番号：特許第5344051号
出願日： 2012年01月12日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】少なくとも以下の(A)、(B)、(C)及び(D-2)を含む溶液からなる、タングステン(W)系金属膜上部にタングステンよりもイオン化傾向の低い金属バンプ又は金属配線が形成された半導体基板上のタングステン(W)系金属膜エッチング剤。
(A)過酸化水素10重量%〜35重量%
(B)ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤0.1重量%〜3重量%
(C)塩基性化合物0.1重量%〜5重量%
(D-2)硫酸イオン、亜硫酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、亜リン酸イオン、次亜リン酸イオン、炭酸イオン、モノカルボン酸イオン、ヒドロキシトリカルボン酸イオン及びヒドロキシカルボン酸イオンから選ばれる2種以上のアニオン種0.01重量%〜3重量%(ただし、硫酸イオン、亜硫酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、亜リン酸イオン及び次亜リン酸イオンから選ばれる2種以上の組み合わせである場合を除く。)
IPC (2件)：
H01L 21/306 ( 200 6.01)
, C23F 1/38 ( 200 6.01)
H01L 21/306 F
, C23F 1/38
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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