半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：渡辺喜平 , 田中有子 , 佐藤猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-231118
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082424
出願日： 2012年10月18日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：

【課題】電界効果移動度及び信頼性が高く、半導体特性の安定した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース及びドレイン電極並びに保護膜を備える半導体装置の製造方法であって、前記半導体膜が、In(インジウム)、Zn(亜鉛)、Sn(錫)及びO(酸素)を含み、前記半導体膜の成膜後、前記保護膜を成膜する際の成膜前の成膜装置内の圧力を、5×10-6Pa以上5×10-3Pa以下とする半導体装置の製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース及びドレイン電極並びに保護膜を備える半導体装置の製造方法であって、前記半導体膜が、In(インジウム)、Zn(亜鉛)、Sn(錫)及びO(酸素)を含み、前記半導体膜の成膜後、前記保護膜を成膜する際の成膜前の成膜装置内の圧力を、5×10-6Pa以上5×10-3Pa以下とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L21/316 X , H01L21/318 B

Fターム (61件)：

5F058BA20 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH16 , 5F058BJ04 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN39 , 5F110NN40

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