特許
J-GLOBAL ID：201403049436700991
硫黄原子を含有するレジスト下層膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 加藤 勉
, 伴 知篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-230776
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033276
特許番号：特許第5382390号
出願日： 2012年10月18日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(1’):
〔上記式中、Xは下記式(2)、式(3)又は式(4):
(上記式中、R1乃至R5はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基で置換されていてもよく、またR1とR2、R3とR4は互いに結合して炭素原子数3乃至6の環を形成していてもよい。)で表される基を表し、A1乃至A6はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を表し、Q2は硫黄原子を有する2価の基を表し、qは繰り返し単位構造の数であって、5ないし100の整数を表す。〕
で表される繰り返し単位構造を有するポリマー、及び溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/11 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, C08G 59/14 ( 200 6.01)
, C08G 59/42 ( 200 6.01)
G03F 7/11 503
, H01L 21/30 573
, H01L 21/30 574
, C08G 59/14
, C08G 59/42
