特許
J-GLOBAL ID：201403050843166000
DLC膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
的場 基憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-229270
公開番号（公開出願番号）：特開2014-062326
出願日： 2013年11月05日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
要約：
【課題】高温耐久性を始め保護膜として要求される種々の特性、特に耐熱性や耐融着性、表面平滑性に優れたDLC膜の製造方法を提供すること。【解決手段】DLC膜をta-C、即ちsp3/(sp2+sp3)構造比が0.5〜0.9、水素含有量が0〜5原子%、ナノインデンテーション硬さが40〜100GPa、密度が2.7〜3.4g/cm3のDLCから成るものとし、基材上に成膜された表面に対する針先端曲率半径2μmの触針式表面形状測定器による測定送り0.01mmの表面走査検出で、基材の成膜前での被成膜面の算術平均粗さRa(S)に対するDLC膜面の算術平均粗さRa(D)の絶対値変化量ΔRa(=|Ra(S)-Ra(D)|)が0.75nm以下、且つ当該DLC膜面での高さ又は深さが20nm以上の凹凸の数が単位走査距離及び単位膜厚あたり0.01個/単位走査距離(mm)/単位膜厚(nm)以下のものを製造する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ta-Cに分類されるDLCから成り、sp3/(sp2+sp3)構造比が0.5〜0.9、水素含有量が0〜5原子%、ナノインデンテーション硬さが40〜100GPa、密度が2.7〜3.4g/cm3であって、針先端曲率半径2μmの触針式表面形状測定器による測定送り0.01mmの表面走査検出において、基材の成膜前における被成膜面の算術平均粗さRa(S)に対するDLC膜面の算術平均粗さRa(D)の絶対値変化量ΔRa(=|Ra(S)-Ra(D)|)が0.75nm以下であると共に、当該DLC膜面における高さ又は深さが20nm以上の凹凸の数が単位走査距離及び単位膜厚あたり0.01個/単位走査距離(mm)/単位膜厚(nm)以下であるDLC膜を上記基材上に成膜するに際し、
陰極の正面の延長ダクトでドロップレットを捕集し、真空アークプラズマ発生部と延長ダクトと成膜チャンバとを結ぶように形成された分岐を持つダクトにおいて、プラズマを曲げて成膜チャンバに輸送するフィルタードアーク蒸着装置により成膜することを特徴とするDLC膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/06
, C23C 14/24
, C03B 11/00
C23C14/06 F
, C23C14/24 F
, C03B11/00 N
4K029AA02
, 4K029AA04
, 4K029AA21
, 4K029BA34
, 4K029BB10
, 4K029BC02
, 4K029BD04
, 4K029CA03
, 4K029CA13
, 4K029DD06
