特許
J-GLOBAL ID：201403051707148879

積層セラミック電子部品及びその製造方法

発明者：
ジョン・ハン・ソン

ジョン・ハン・ソン について

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キム・チャン・フン

キム・チャン・フン について

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クォン・サン・フン

クォン・サン・フン について

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ユン・ソク・ヒュン

ユン・ソク・ヒュン について


出願人/特許権者：
サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.

サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. について


代理人 (2件)： 加藤 公延 ,  大島 孝文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-209314
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022714
出願日： 2012年09月24日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：
【課題】本発明は積層セラミック電子部品に関する。【解決手段】本発明は誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内に上記誘電体層を介して対向配置される第1及び第2内部電極と、を含み、上記誘電体層内の誘電体グレインの粒径の累積分布において、1%の値をD1、50%の値をD50及び99%の値をD99とするとき、2≦D99/D50≦3及び2≦D50/D1≦3を満たす積層セラミック電子部品を提供する。本発明によると、誘電体層と内部電極間の接着力が向上し、耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
誘電体層を含むセラミック本体と、 前記セラミック本体内に前記誘電体層を介して対向配置される第1及び第2内部電極と、を含み、 前記誘電体層内の誘電体グレインの粒径の累積分布において、1%の値をD1、50%の値をD50及び99%の値をD99とするとき、2≦D99/D50≦3及び2≦D50/D1≦3を満たす積層セラミック電子部品。
IPC (2件)：
H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (3件)：
H01G4/12 349 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/30 301E
Fターム (9件)：
5E001AB03 ,  5E001AD00 ,  5E001AE00 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46
引用特許：
出願人引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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