特許
J-GLOBAL ID：201403051973301070
近接効果補正方法及びその方法を用いた電子線描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
田中 貞嗣
, 小山 卓志
, 青木 健二
, 韮澤 弘
, 米澤 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-007563
公開番号（公開出願番号）：特開2014-096604
出願日： 2014年01月20日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
要約：
【課題】高加速電圧の電子線描画装置を用いた微細パターン描画における近接効果補正方法において、描画パターンの高い描画精度を維持しながら、近接効果補正のための処理時間を低減させることができる近接効果補正方法を提供する。【解決手段】同じ形状の図形が周期的に配置された描画パターンを電子線で描画する際の近接効果補正方法であって、描画パターン全体を所定の大きさの単位区画に分割し、各単位区画におけるパターン面積密度を求め、求めたパターン面積密度を隣接する単位区画間で平滑化して平滑化パターン面積密度とし、隣接する単位区画間において平滑化パターン面積密度の変化が大きい第1領域から、平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない第2領域までの複数の領域に、描画パターン全体を分割し、前記複数の領域のそれぞれに異なる近接効果補正を適用する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同じ形状の図形が周期的に配置された描画パターンを電子線で描画する際の近接効果補正方法であって、
描画パターン全体を所定の大きさの単位区画に分割し、各単位区画におけるパターン面積密度を求め、求めたパターン面積密度を隣接する単位区画間で平滑化して平滑化パターン面積密度とし、
隣接する単位区画間において平滑化パターン面積密度の変化が大きい第1領域から、平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない第2領域までの複数の領域に、描画パターン全体を分割し、
前記複数の領域のそれぞれに異なる近接効果補正を適用すると共に、
前記第1領域には、近接効果補正計算の収束条件を厳しくした近接効果補正を適用し、前記第2領域には、近接効果補正計算の収束条件を緩和した近接効果補正、もしくは一定の補正値を割り当てる近接効果補正を適用し、
前記第1領域が、描画パターンの外縁部から所定幅までの領域であり、前記第2領域が、前記描画パターンから描画パターンの外縁部から所定幅までの領域を除いた領域であり、前記第2領域に割り当てる一定の補正値が、前記第1領域の近接効果補正計算結果のうちで変化がほとんどない領域に隣接する変化が大きい領域の補正値、もしくは、変化がほとんどない領域との境界においてサチレーションした変化が大きい領域の補正値であり、
近接効果補正計算では、前記第1領域の蓄積エネルギー計算領域として、後方散乱により蓄積エネルギーが影響する前記第2領域内の計算しろ、及び、前記第2領域の蓄積エネルギー計算領域として、後方散乱により蓄積エネルギーが影響する前記第1領域内の計算しろを設定することを特徴とする近接効果補正方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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