特許
J-GLOBAL ID：200903062095152300

電子線描画装置および電子線を用いた描画方法

発明者：
川野 源

川野 源 について

, 
依田 晴夫

依田 晴夫 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-199568
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048018
出願日： 2003年07月22日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】特別な回路やメモリの追加をせずに近接効果補正の補正誤差を低減でき、高密度なパターンのエッジ付近に配置されたパターンなどの痩せや太りの発生を防止できる電子線描画装置および電子線を用いた描画方法を提供する。【解決手段】試料を予め定められた寸法の仮想メッシュに分割し、メッシュ毎の描画パターンの面積密度を演算し、描画領域全体の面積密度マップを求めてメモリへ記憶し、面積密度に電子線による試料のレジスト内の後方散乱エネルギーと前方散乱エネルギーを考慮した補正を施して修正面積密度を求めて、描画領域全体の修正面積密度マップを求めてメモリへ記憶し、これを繰り返して、露光量を決定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
試料に電子線を照射して描画パターンを露光する電子線を用いた描画方法において、前記試料を予め定められた寸法の仮想メッシュに分割し、該仮想メッシュ毎の描画パターンの面積密度を演算し、前記試料の描画領域全体の面積密度マップを求めてメモリへ記憶し、(a)前記面積密度に前記電子線による前記試料のレジスト内の後方散乱エネルギーと前方散乱エネルギーを考慮した補正を施して修正面積密度を求め、(b)前記描画領域全体の修正面積密度マップを求めてメモリへ記憶し、前記(a)と(b)を少なくとも2回繰り返し、前記試料への露光量を決定することを特徴とする電子線を用いた描画方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01J37/305
FI (4件)：
H01L21/30 541M ,  G03F7/20 504 ,  G03F7/20 521 ,  H01J37/305 B
Fターム (12件)：
2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097BB01 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5C034BB10 ,  5F056CB03 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD02 ,  5F056CD13 ,  5F056FA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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