樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：久原健太郎 , 内野則彰 , 木村信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-025966
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154848
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：

【課題】狭ピッチ化に対応できる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】リード2のインナーリード3とアウターリード4のそれぞれに金属メッキ層8,9を設け、ダイパッド1上に半導体チップを搭載し、半導体チップ表面の電極とインナーリード3とを金属細線で接続し、アウターリード4が露出するように半導体チップ6や金属細線7などを封止樹脂11で封止した後、デフォーカスしたレーザーにて樹脂バリを除去し、リードに付着した金属をリフトオフする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

インナーリードとアウターリードをそれぞれ有する複数のリードおよびダイパッドを有するリードフレームを用意する工程と、前記ダイパッドおよび前記複数のリードの前記インナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程と、前記金属メッキ層が形成された前記ダイパッド上に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップと前記インナーリードとを金属細線で接続する工程と、前記ダイパッド上の前記半導体チップと前記金属細線と前記インナーリードとを封止樹脂により樹脂封止して前記アウターリードを露出する工程と、隣り合う前記アウターリード間に形成された樹脂バリをレーザー照射にて除去する樹脂バリ除去工程と、前記封止樹脂から露出した前記金属メッキ層を除去する金属メッキ層除去工程と、前記金属メッキ層が除去された前記アウターリードにはんだメッキ層を形成する工程と、からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , H01L 21/56

FI (2件)：

H01L23/50 A , H01L21/56 T

Fターム (13件)：

5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061DD14 , 5F061EA17 , 5F067AA01 , 5F067AA09 , 5F067AB04 , 5F067BC13 , 5F067DC11 , 5F067DC17 , 5F067DD06 , 5F067DE19

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-096947
特開昭63-111655
リードフレームとその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-374547 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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