特許
J-GLOBAL ID：201403052229526877

炭素質材料からシンガスを生成するためのプロセスの操作方法

発明者：
コ チン-ワン

コ チン-ワン について

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スレイプ マイケル ショーン

スレイプ マイケル ショーン について

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ベル ピーター エス

ベル ピーター エス について

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オクフェミア キム

オクフェミア キム について


出願人/特許権者：
イネオス バイオ ソシエテ アノニム

イネオス バイオ ソシエテ アノニム について


代理人 (7件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  山崎 一夫 ,  市川 さつき ,  佐々木 康匡
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-503951
公開番号（公開出願番号）：特表2014-512435
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
要約：
下流プロセスで用いるのに有効なシンガスの生成方法を提供する。シンガスの生成方法は、ガス化装置及びガス化装置下流の設備が第1目標温度まで十分に温まるまでガス化装置を始動モードで操作する工程を含む。第1目標温度に到達したら、プロセスを生成モードで操作して、より高いCO/CO2モル比を有する第2シンガスを生成する。第1目標温度に到達するまでの始動モードの操作は、下流設備の汚れを低減し、かつさらに効率的に冷却及び洗浄できる第2シンガスを形成するのに有効な方法を提供する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シンガスの生成方法であって、下記工程: 炭素質材料をガス化して、約0.5未満のCO対CO2モル比を有する第1シンガスを、この第1シンガスが第1目標温度に到達するまで形成する工程;及び 前記第1目標温度に到達したら、炭素質材料をガス化して、前記第1シンガスより高いCO対CO2比を有する第2シンガスを形成する工程 を含む方法。
IPC (3件)：
C10J 3/72 ,  C10J 3/00 ,  C10J 3/46
FI (3件)：
C10J3/72 H ,  C10J3/00 H ,  C10J3/46 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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