特許
J-GLOBAL ID：201403053280931758
プラズマCVD装置及び磁気記録媒体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳瀬 睦肇
, 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-270591
公開番号（公開出願番号）：特開2014-114492
出願日： 2012年12月11日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：
【課題】製造効率を向上させたプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】チャンバーと、ロート形状のアノード204と、フィラメント状のカソード203と、被成膜基板201を保持する保持部と、インナーシールド208と、第1の直流電源207と、交流電源205と、第2の直流電源212と、チャンバー内にガスを供給するガス供給機構とを具備し、ガス供給機構によって第1の原料ガスをチャンバー内に供給し、チャンバー内でカソードとアノードとの間の放電により第1の原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを被成膜基板の表面に加速衝突させてDLC膜を成膜し、ガス供給機構によって第2の原料ガス及び窒化剤をチャンバー内に供給し、チャンバー内でカソードとアノードとの間の放電により第2の原料ガス及び窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマをDLC膜に加速衝突させてCN膜を成膜するプラズマCVD装置である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第1の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第2の直流電源と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記ロート形状のアノードは、その最大内径側を前記被成膜基板に向けており、
前記ガス供給機構によって第1の原料ガスを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第1の原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させてDLC膜を成膜し、前記ガス供給機構によって第2の原料ガス及び窒化剤を前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第2の原料ガス及び前記窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマを前記DLC膜に加速衝突させてCN膜を成膜することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/56
, C23C 16/27
, G11B 5/84
C23C16/56
, C23C16/27
, G11B5/84 B
4K030AA09
, 4K030AA16
, 4K030BA28
, 4K030CA17
, 4K030DA08
, 4K030FA17
, 4K030KA02
, 4K030KA30
, 4K030LA20
, 5D112AA07
, 5D112AA24
, 5D112BC05
, 5D112FA10
, 5D112FB08
, 5D112FB18
, 5D112FB21
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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