特許

J-GLOBAL ID：200903058269308048

硬質窒化炭素膜の合成方法

発明者： 伊藤 治彦 ,  斎藤 秀俊 ,  神田 一隆
出願人/特許権者： 株式会社不二越 ,  伊藤 治彦 ,  斎藤 秀俊
代理人 (1件)： 河内 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221396
公開番号（公開出願番号）：特開2002-038269
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法をベースに、硬質な窒化炭素膜の形成を安定して行う。【解決手段】 シアン化臭素、シアン化ヨウ素等のシアン化合物を含む原料ガス7をプラズマ10化することにより活性化し、該プラズマ中またはプラズマ化されたガス20の下流に置かれ負電圧にバイアスされた基体5上に窒化炭素膜21を合成する。バイアスは高周波16による自己バイアス、直流電圧6によるバイアスまたはその両者の重畳である。あるいは、原料ガスの水素原子の比率が5%以下、又は、水分含有率が1%以下、又は一部または全部を吸湿剤8,8’を通して反応槽1,2内へ供給する。希ガス11、窒素含有ガスのプラズマの下流に原料ガスを混合する。また、シアン化合物ガスの流量の全ガス流量に対する比は1〜100%であり、かつ窒素ガスと希ガスの流量比が0〜80%とする。

請求項（抜粋）：

シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し、該プラズマ中またはプラズマ化されたガスの下流に置かれた基体上に窒化炭素膜を合成する方法であって、前記基体は少なくとも成膜初期に負電圧にバイアスされていることを特徴とする硬質窒化炭素膜の合成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/34 ,  C01B 21/082

FI (2件)：

C23C 16/34 ,  C01B 21/082 K

Fターム (13件)：

4K030AA02 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA27 ,  4K030BA38 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA04 ,  4K030JA06 ,  4K030KA20 ,  4K030LA21 ,  4K030LA22 ,  4K030LA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 硬質窒化炭素膜の合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-052712   出願人：株式会社不二越, 伊藤治彦, 斎藤秀俊
• 特開平3-240959
  
• 硬質窒素含有炭素膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-126125   出願人：鎌田喜一郎, トッキ株式会社