特許

J-GLOBAL ID：201403054024679860

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 国分 弘一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-183449
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041921
出願日： 2012年08月22日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

【課題】固体撮像装置を構成する画素のうちの外周付近に配置される画素での集光ロスの発生を抑えることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置は、基板11上の画素形成領域Rの各画素が配置される画素領域Rpに設けられるフォトダイオード12と、フォトダイオード12を周辺回路と接続する配線21、および配線21を絶縁する層間絶縁膜22を有し、フォトダイオード12上に設けられる配線層20と、各画素領域Rpに対応して配線層20上に設けられ、フォトダイオード12に入射する光の波長を制限するカラーフィルタ31と、を備える。画素形成領域Rの少なくとも外周部に配置される画素に対応するカラーフィルタ31と配線層20との間に、配線層20上に設けられる反射防止膜41、および反射防止膜41上に設けられる負の屈折率を有する材料を含む入射光位置補正層40を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の複数の画素がマトリックス状に形成される画素形成領域の前記各画素が配置される画素領域に設けられるフォトダイオードと、 前記フォトダイオードを前記基板上に形成された周辺回路と接続する配線、および前記配線を絶縁する層間絶縁膜を有し、前記フォトダイオード上に設けられる配線層と、 前記各画素領域に対応して前記配線層上に設けられ、前記フォトダイオードに入射する光の波長を制限するフィルタと、 を備える固体撮像装置であって、 前記画素形成領域の少なくとも外周部に配置される画素に対応する前記フィルタと前記配線層との間に、前記配線層上に設けられる反射防止膜、および前記反射防止膜上に設けられる負の屈折率を有する材料を含む入射光位置補正層を備え、 前記負の屈折率を有する材料は、1以上の屈折率を有し、かつ前記層間絶縁膜と同程度かまたは前記層間絶縁膜よりも低い屈折率を有する低屈折率材料が、前記層間絶縁膜および前記低屈折率材料よりも屈折率の高い高屈折率材料膜内に3次元的な周期構造をもって配置されるフォトニック結晶であり、 前記フォトニック結晶は、前記高屈折率材料膜内に、立方格子状または四面体格子状に前記低屈折率材料が配置され、 前記低屈折率材料の大きさとピッチは、前記入射光位置補正層が設けられる1つの前記画素領域内で同一であり、 前記低屈折率材料の大きさまたはピッチは、前記画素形成領域の外周部に向かうほど、前記画素領域を単位として前記フォトニック結晶から光の出射位置と前記フォトニック結晶への光の入射位置との差の絶対値が大きくなるように設定されることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/023 ,  H04N 5/374

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H01L31/02 D ,  H04N5/335 740

Fターム (32件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118FA06 ,  4M118GA09 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  4M118GD11 ,  4M118GD20 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5F088AA01 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA20 ,  5F088JA12 ,  5F088JA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電変換装置及び該光電変換装置を用いた撮像システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-257254   出願人：キヤノン株式会社
• 屈折率分布型光学素子及び該屈折率分布型光学素子を有する撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-090664   出願人：キヤノン株式会社