特許
J-GLOBAL ID：200903081024025891

光電変換装置及び該光電変換装置を用いた撮像システム

発明者：
板野 哲也

板野 哲也 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257254
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073882
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 層内レンズを有する光電変換装置において、層内レンズと配線上の絶縁膜との界面で起こる反射を低減し、色むらの発生しない構造を提供することを目的とする。【解決手段】 上記目的を達成するために、半導体基板に形成された光電変換素子と、該光電変換素子上に形成された配線層と、該配線層上に形成された層内レンズ10を有する光電変換装置であって、配線層上に第1の絶縁層4が形成され、該第1の絶縁層4と前記層内レンズ10間に前記第1の絶縁層と層内レンズの界面における反射を低減させるための第2の絶縁層9を有することを特徴とする光電変換装置を提供する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された光電変換素子と、該光電変換素子上に形成された配線層と、該配線層上に形成された層内レンズを有する光電変換装置であって、前記配線層上に第1の絶縁層が形成され、該第1の絶縁層と前記層内レンズ間に前記第1の絶縁層と層内レンズの界面における反射を低減させるための第2の絶縁層を有することを特徴とする光電変換装置。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/023
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L31/02 D
Fターム (22件)：
4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118CA01 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024EX24 ,  5C024EX25 ,  5C024EX42 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088GA04 ,  5F088HA03 ,  5F088JA12 ,  5F088JA13 ,  5F088KA08 ,  5F088LA03
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平04-044267号公報
  • 固体撮像素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-189353   出願人：ソニー株式会社
  • アメリカ合衆国特許公報6221687
審査官引用 (7件)
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