特許
J-GLOBAL ID：201403054604951664
発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
あいわ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-225879
公開番号（公開出願番号）：特開2014-057037
出願日： 2012年10月11日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】発光ダイオードの提供。【解決手段】この発光ダイオードは、第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、それはそれぞれが第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具える。該第2発光ダイオードダイは、該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置される。そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層と該第2発光ダイオードダイの第2半導体層は接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層とに接続される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光ダイオードにおいて、
第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、該第1発光ダイオードダイ、該第2発光ダイオードダイ及び該第3発光ダイオードダイはそれぞれが第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と該第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具え、該第2発光ダイオードダイは該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置され、
そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層は該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は、該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層に接続されることを特徴とする、発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F142AA34
, 5F142AA56
, 5F142BA32
, 5F142CB07
, 5F142CB15
, 5F142FA46
