特許
J-GLOBAL ID：200903008186344053

発光装置、発光装置の製造方法及びモノリシック発光ダイオードアレイ

発明者：
オヌシュキン,グリゴリー

オヌシュキン,グリゴリー について

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李 鎭 賢

李 鎭 賢 について

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趙 明 洙

趙 明 洙 について

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崔 繁 在

崔 繁 在 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-048093
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235883
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】モノリシック発光ダイオードアレイにおいて多様な配線連結構造を容易に実現可能にする。【解決手段】発光装置10は、第1及び第2導電型半導体層11a,11b及び活性層11cを含み、第1及び第2導電型半導体層11a,11bによりそれぞれ形成される第1及び第2面を有する発光積層体11と、第1導電型半導体層11aに接続するように第1面に形成された第1コンタクト18と、第2導電型半導体層11bに接続するように第2面に形成された第2コンタクト13と、第2コンタクト13が形成された領域を除いた発光積層体11の第2面及び側面に形成された第1絶縁層12aと、第2コンタクト13に連結され発光積層体11の側面に沿って延長され、第1面に隣接した部分が第1面と同一の方向に向かって露出した導電層14と、発光積層体の側面と第2面を囲むよう形成された基板構造物17とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1及び第2導電型半導体層とその間に位置する活性層を含み、それぞれ前記第1及び第2導電型半導体層により形成され互いに反対方向を向いた第1及び第2面とその間に位置する側面を有する少なくとも一つの発光積層体と、 前記第1導電型半導体層に接続するように前記発光積層体の前記第1面に形成された第1コンタクトと、 前記第2導電型半導体層に接続するよう前記発光積層体の前記第2面に形成された第2コンタクトと、 前記第2コンタクトが形成された領域を除いた前記発光積層体の前記第2面及び側面に形成された第1絶縁層と、 前記第2コンタクトに連結され前記発光積層体の側面に沿って延長され、前記第1面に隣接した部分が前記第1面と同一の方向に向かって露出した導電層と、 前記発光積層体の側面と前記第2面を囲むよう形成された基板構造物と、 を含む発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (8件)：
5F041AA21 ,  5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041BB34 ,  5F041CA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA93 ,  5F041CB23
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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