特許
J-GLOBAL ID：201403054896972373

半導体装置

発明者：
大貫 達也

大貫 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-048306
公開番号（公開出願番号）：特開2014-209402
出願日： 2014年03月12日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
要約：
【課題】所望の電位を書込み、読出しできる半導体装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタ(Tr)、第2のTr及び容量素子を有し、情報を書き込む動作は、ビット線及び第1の配線にロー電圧を印加し、第1のTrをオン及び第2のTrをオンにする第1のステップと、第1の配線に第1の電圧を印加し、かつビット線へのロー電圧の印加を遮断する第2のステップ、により行われ、情報を読み出す動作は、第1の配線にハイ電圧を印加する第3のステップと、第1の配線へのハイ電圧の印加を遮断し、かつ容量線にロー電圧を印加する、第4のステップ、により行われる半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子を有し、 前記第1のトランジスタのチャネルが形成される領域は酸化物半導体膜を有し、 前記第1のトランジスタのゲートはワード線に電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方はビット線に電気的に接続され、 前記第1のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記容量素子の一方の電極及び前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、 前記容量素子の他方の電極は容量線に電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は第1の配線に電気的に接続され、 前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は前記ビット線に電気的に接続され、 情報を書き込む動作は、 前記ビット線及び前記第1の配線にロー電圧を印加し、 前記ワード線にハイ電圧を印加して前記第1のトランジスタをオンにし、 かつ、前記容量線にロー電圧を印加して前記第2のトランジスタをオンにする、第1のステップと、 前記第1の配線に第1の電圧を印加し、 かつ前記ビット線への前記ロー電圧の印加を遮断する、第2のステップ、により行われ、 前記情報を保持するときは、 前記ワード線にロー電圧を印加して前記第1のトランジスタをオフにし、 前記ビット線及び前記第1の配線にロー電圧を印加し、 かつ、前記容量線にハイ電圧を印加して前記第2のトランジスタをオフにし、 前記情報を読み出す動作は、 前記第1の配線にハイ電圧を印加する、第3のステップと、 前記第1の配線への前記ハイ電圧の印加を遮断し、 かつ、前記容量線にロー電圧を印加する、第4のステップ、により行われ、 前記第2のステップにより、前記第1の配線から、前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレイン、前記ビット線、及び前記第1のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインを介して、前記第2のトランジスタの前記ゲートに前記第1の電圧に対応した電圧が印加され、 前記第4のステップにより、前記第1の配線の電圧は、前記ハイ電圧から前記第1の電圧に変化することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
G11C 11/405 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (4件)：
G11C11/34 352B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 321
Fターム (48件)：
5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083GA11 ,  5F083HA06 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083ZA21 ,  5F110AA06 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HM19 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ17 ,  5M024AA06 ,  5M024AA94 ,  5M024BB02 ,  5M024CC02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07
引用特許：
審査官引用 (2件)

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