特許

J-GLOBAL ID：201403055115210968

金属膜積層セラミックス基板溝加工用ツール

発明者： 武田 真和 ,  村上 健二 ,  田村 健太
出願人/特許権者： 三星ダイヤモンド工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-068762
公開番号（公開出願番号）：特開2014-065291
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】金属膜積層セラミックス基板から金属膜の一部を除去して溝加工を行なうためのツールを提供すること。【解決手段】金属膜積層セラミックス基板の金属膜の一部を除去して溝加工を行うための溝加工用ツールであって、刃先が(a)円錐台形状、(b)角柱状又は(c)角柱状の左右を切り欠いた形状のいずれかの形状である金属膜積層セラミックス基板溝加工用ツール。例えば、金属膜積層セラミックス基板のセラミックス基板の面よりスクライブを行った後、スクライブラインに沿ってブレイクすることにより、金属膜積層セラミックス基板を分断する際に、ブレイクの前にスクライブラインに沿って金属膜の面より金属膜に対して溝加工を行うために使用される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

金属膜積層セラミックス基板の金属膜の一部を除去して溝加工を行うための溝加工用ツールであって、 刃先が(a)円錐台形状、(b)角柱状又は(c)角柱状の左右を切り欠いた形状のいずれかの形状である金属膜積層セラミックス基板溝加工用ツール。

IPC (1件)：

B28D 1/24

FI (1件)：

B28D1/24

Fターム (3件)：

3C069AA03 ,  3C069BA04 ,  3C069CA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 回路基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-187331   出願人：DOWAホールディングス株式会社
• 集積型薄膜太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-041272   出願人：三星ダイヤモンド工業株式会社
• 薄膜太陽電池用の溝加工ツール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-055452   出願人：三星ダイヤモンド工業株式会社