特許

J-GLOBAL ID：201403056060611085

ダイヤモンドNV光学中心を有するダイヤモンド単結晶

発明者： 渡邊 幸志 ,  鹿田 真一 ,  梅澤 仁 ,  石川 豊史 ,  伊藤 公平 ,  富澤 周平 ,  大橋 康平 ,  早瀬 潤子
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-040653
公開番号（公開出願番号）：特開2014-169195
出願日： 2013年03月01日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：

【課題】高品質なダイヤモンド単結晶成長が可能なCVD法を用い、所望の表面及び/又は結晶内の空間に、所望のサイズ及び/又は形状で配置されたNV光学中心を有するダイヤモンド単結晶、及び後プロセス無しでダイヤモンド成長時に自動的に所望の表面及び/又は結晶内の空間に、所望のサイズ及び/又は形状で配置することを可能とするNV光学中心の製造方法を提供する。【解決手段】基板としてオフ角が0度以上0.5度以下のダイヤモンド単結晶基板を用い、該基板上に局所的なオフ角変化を形成した後、マイクロ波プラズマCVD法を用いて、結晶成長速度50nm/h以下で、ステップフローモードに制御して成長させることにより、ホモエピタキシャル成長によるダイヤモンドの結晶成長時に自動的に結晶表面及び/又は結晶空間内に窒素-空孔複合欠陥1が配置されたダイヤモンド単結晶2を製造する。【選択図】図5(a)

請求項（抜粋）：

ホモエピタキシャル成長によるダイヤモンドの結晶成長時に自動的に結晶表面及び/又は結晶空間内に窒素-空孔複合欠陥が配置されたダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、 基板としてオフ角が0度以上0.5度以下のダイヤモンド単結晶基板を用い、該基板上に局所的なオフ角変化を形成した後、窒素を含有させた原料ガスを用いて、マイクロ波プラズマCVD法により、結晶成長速度50nm/h以下で、ステップフローモードに制御して成長させることを特徴とする窒素-空孔複合欠陥が配置されたダイヤモンド単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/04 E ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C01B31/06 A ,  H01L21/205

Fターム (41件)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA20 ,  4G146AA04 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD01 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC41 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA11 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA12 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ダイヤモンド材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-519235   出願人：エレメントシックスリミテッド