特許
J-GLOBAL ID：201103025426590480

ダイヤモンド材料

発明者：
スカーズブルック ジェフリー アラン

スカーズブルック ジェフリー アラン について

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トゥウィッチェン ダニエル ジェイムズ

トゥウィッチェン ダニエル ジェイムズ について

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マーカム マシュー リー

マーカム マシュー リー について


出願人/特許権者：
エレメント シックス リミテッド

エレメント シックス リミテッド について


代理人 (6件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  山崎 一夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-519235
公開番号（公開出願番号）：特表2011-529018
出願日： 2009年07月22日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：
高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い13C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。【選択図】図1(a)
請求項（抜粋）：
高い化学的純度及び高い同位体純度のダイヤモンド材料の調製方法であって、以下の工程: 実質的に結晶欠陥がない表面を有するダイヤモンド基板を供給する工程; 高純度ガスを含む源ガス混合物を供給する工程(ここで、前記源ガス混合物中の窒素濃度は約300ppb以下である); その全C含量の少なくとも約99%の量で12Cを含む固体炭素源を供給する工程(ここで、前記固体炭素源は低い窒素不純物含量を有する); 前記源ガス混合物及び前記固体炭素源の少なくとも一部を活性化及び/又は解離させてガス状炭素種を形成する工程;及び 前記基板の表面上でホモエピタキシャルダイヤモンド成長させる工程 を含む方法。
IPC (2件)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27
FI (2件)：
C30B29/04 E ,  C23C16/27
Fターム (38件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077EC10 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE08 ,  4G077FD02 ,  4G077FE02 ,  4G077FG03 ,  4G077FG12 ,  4G077FG17 ,  4G077GA01 ,  4G077GA02 ,  4G077HA03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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