成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-153407
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017354
出願日： 2012年07月09日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

【課題】金属化合物の組成制御性を向上する。【解決手段】第1の金属を含有する第1の原料ガスに基板を晒し、当該基板を、前記第1の原料ガスと反応する反応ガスに晒すサイクルを1回以上行って第1の金属化合物の膜を前記基板に成膜する第1の成膜ステップと、前記第1の金属化合物の膜が成膜された前記基板を、前記第1の原料ガスに晒し、前記第1の金属化合物の膜に前記第1の金属を吸着させる吸着ステップと、前記第1の金属が吸着された前記基板を、第2の金属を含有する第2の原料ガスに晒し、当該基板を、前記第2の原料ガスと反応する反応ガスに晒すサイクルを1回以上行って第2の金属化合物の膜を前記基板に成膜する第2の成膜ステップとを含む成膜方法により上記の課題が達成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の金属を含有する第1の原料ガスに基板を晒し、当該基板を、前記第1の原料ガスと反応する反応ガスに晒す第1のサイクルを行って第1の金属化合物の膜を前記基板に成膜する第1の成膜ステップと、前記第1の金属化合物の膜が成膜された前記基板を、前記第1の原料ガスに晒し、前記第1の金属化合物の膜に前記第1の原料ガスを吸着させる吸着ステップと、前記第1の原料ガスが吸着された前記基板を、第2の金属を含有する第2の原料ガスに晒し、当該基板を、前記第2の原料ガスと反応する反応ガスに晒す第2のサイクルを行って第2の金属化合物の膜を前記基板に成膜する第2の成膜ステップとを含む成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (3件)：

H01L21/316 X , H01L21/31 C , C23C16/455

Fターム (45件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA02 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 4K030GA04 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA02 , 4K030KA04 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD08 , 5F045AE01 , 5F045BB04 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EC01 , 5F045EC02 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EF20 , 5F045EH13 , 5F045EK06 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法、並びに吸着サイト・ブロッキング原子層堆積法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-215361 出願人：エルピーダメモリ株式会社, 東京エレクトロン株式会社
ジルコニウム酸化膜を有する半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-323070 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体素子のキャパシタ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-181112 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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