特許
J-GLOBAL ID：201403060891589890

半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法

発明者：
山村 和久

山村 和久 について

, 
鎌田 真太郎

鎌田 真太郎 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-099137
公開番号（公開出願番号）：特開2014-220403
出願日： 2013年05月09日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：
【課題】デッドエリアを縮小することが可能な半導体エネルギー線検出素子の製造方法を提供すること。【解決手段】素子形成領域2を含み、且つ、互いに対向する主面1a,1bを有すると共に、主面1a側に位置する第一半導体層3と、主面1b側に位置し第一半導体層3よりも高い不純物濃度を有する第二半導体層5と、第一半導体層3の主面1a側における素子形成領域2内に位置する半導体領域7と、を有する半導体基板1を準備する。素子形成領域2の境界となる少なくとも一部の領域に、主面1aから半導体基板1の厚み方向に延び且つ第二半導体層5に達する溝17をエッチングにより形成し、素子形成領域2の側面2aを露出させる。素子形成領域2の側面2aとして露出する第一半導体層3の表面を少なくとも覆うように、Al2O3からなる膜21を形成する。半導体基板1を素子形成領域2で個片化する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
素子形成領域を含み、且つ、互いに対向する第一及び第二主面を有すると共に、前記第一主面側に位置する第一導電型の第一半導体層と、前記第二主面側に位置し前記第一半導体層よりも高い不純物濃度を有する第一導電型の第二半導体層と、前記第一半導体層の前記第一主面側における前記素子形成領域内に位置する第二導電型の半導体領域と、を有する半導体基板を準備する工程と、 素子形成領域の境界となる少なくとも一部の領域に、前記第一主面から前記半導体基板の厚み方向に延び且つ前記第二半導体層に達する溝をエッチングにより形成し、前記素子形成領域の側面を露出させる工程と、 前記素子形成領域の前記側面として露出する前記第一半導体層の表面を少なくとも覆うように、覆われた前記第一半導体層の前記表面側に所定の極性の固定電荷を存在させるためのパッシベーション材料からなる膜を形成する工程と、 前記半導体基板を前記素子形成領域で個片化する工程と、を備えることを特徴とする半導体エネルギー線検出素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (7件)：
5F049MA02 ,  5F049SS02 ,  5F049SZ12 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05 ,  5F049WA07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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