特許
J-GLOBAL ID：201103012381573259

固体撮像装置

発明者：
飯 田 義 典

飯 田 義 典 について

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上 野 梨紗子

上 野 梨紗子 について

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鈴 木 和 拓

鈴 木 和 拓 について

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舟 木 英 之

舟 木 英 之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-297658
公開番号（公開出願番号）：特開2011-138905
出願日： 2009年12月28日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：
【課題】微細化しても高い感度を得ることを可能にする。【解決手段】第1導電型の半導体基板150上に設けられた複数の画素200であって、それぞれが半導体基板の第1面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第2導電型の半導体領域201aを有する複数の画素200と、半導体基板の第1面と反対の第2面側に設けられ、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造160であって、画素分離構造は半導体基板の前記第1面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、積層膜は、トレンチの側面および底面に沿って設けられた第1絶縁膜164と、第1絶縁膜を覆うようにトレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜162とを含む画素分離構造160と、を備えている。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素であって、それぞれが前記半導体基板の第1面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第2導電型の半導体領域を有する複数の画素と、 前記半導体基板の前記第1面と反対の第2面側に設けられ、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、 前記半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造であって、前記画素分離構造は前記半導体基板の前記第1面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、前記積層膜は、前記トレンチの側面および底面に沿って設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜とを含む画素分離構造と、 を備えていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
Fターム (24件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX11 ,  5C024CX41 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX24
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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