特許
J-GLOBAL ID：201403060912747024

パワーモジュール

発明者：
白石 卓也

白石 卓也 について

, 
田中 智典

田中 智典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-181982
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041852
出願日： 2012年08月21日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：
【課題】IGBTとMOSFETの損失分担を調整しコストパフォーマンスを高めることができるパワーモジュールを提供することを目的とする。【解決手段】パワーモジュール1は、IGBT2と、IGBT2と並列に接続されたMOSFET3と、IGBT2が搭載された第1フレーム部11と、MOSFET3が搭載された第2フレーム部12とを有し、かつ、第1フレーム部11が第1高さに位置し第2フレーム部12が第1高さよりも高い第2高さに位置する段差13が形成されたリードフレーム10と、リードフレーム10において第1フレーム部11の裏面のみに配置された放熱体の絶縁シート30とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
IGBTと、 前記IGBTと並列に接続されたMOSFETと、 前記IGBTが搭載された第1フレーム部と、前記MOSFETが搭載された第2フレーム部とを有し、かつ、前記第1フレーム部が第1高さに位置し前記第2フレーム部が前記第1高さよりも高い第2高さに位置する段差が形成されたリードフレームと、 前記リードフレームにおいて前記第1フレーム部裏面のみに配置された絶縁シートと、 を備えた、パワーモジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/48 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H02M 1/08
FI (3件)：
H01L23/48 G ,  H01L25/04 C ,  H02M1/08 341B
Fターム (7件)：
5H740AA05 ,  5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BA15 ,  5H740BB02 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM