特許
J-GLOBAL ID：201403060966827392
半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273006
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051454
特許番号：特許第5584276号
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子であって、
III族窒化物材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層と、
前記半導体素子においてアノードとして作用し、
前記第1半導体層の一方の主面上に接合形成されてなり、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、
を有するアノード部と、
前記半導体素子においてカソードとして作用し、
前記主面上に接合形成されてなり、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、
を有するカソード部と、
を備え、
前記カソード部は、互いに略平行な複数のくり抜き領域を有しつつ前記主面上の略全面に設けられてなり、前記複数のくり抜き領域のそれぞれの境界部分が前記単位カソード部とされており、かつ、前記複数のくり抜き領域のそれぞれに前記複数の単位アノード部が設けられており、これによって、前記主面上においては、前記複数の単位アノード部のそれぞれと前記複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、
前記複数の単位アノード部のそれぞれと前記第1半導体層との複数の接合部がそれぞれ第1接合部と第2接合部とからなり、
前記単位アノード部の前記第1接合部を構成する部分のうち少なくとも前記第1半導体層と接続する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第2半導体層であり、
前記第1接合部においてはP-N接合が形成されてなり、
前記単位アノード部の前記第2接合部を構成する部分のうち少なくとも前記第1半導体層と接続する部分が所定の金属によって構成されることにより、前記第2接合部においてはショットキー接合が形成されてなる、
ことを特徴とする半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
H01L 29/91 F
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/91 H
, H01L 29/91 D
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 D
