特許
J-GLOBAL ID：200903093338452792

パワー半導体構成素子及びその作製方法

発明者：
ナンド カミンスキー

ナンド カミンスキー について

, 
ラバン ヘルト

ラバン ヘルト について


出願人/特許権者：
ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト

ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-501403
公開番号（公開出願番号）：特表2002-508888
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：
【要約】本発明は、隣接するショットキー(5)及びpn接合部(9)を有する半導体構成素子及びその作製方法に関し、前記接合部は半導体材料のドリフト領域(2,10)内に配置されている。
請求項（抜粋）：
表面近傍の領域に交互に配置されたショットキー及びpn接合部を有し、アノード及びカソードとして外部コンタクトを備え、そして、ショットキー接合部とpn接合部との間に半導体材料(2)の低濃度ドーピングされたドリフトゾーンが設けられている半導体構成素子において、ドリフトゾーン-半導体(2)の電子的励起スペクトルにおけるバンドギャップ(Egap)と、半導体構成素子の無電圧状態におけるショットキー障壁(5)のエネルギ高さ(φbarrier)との差(Egap-φbarrier)が少なくとも0.8eVであることを特徴とする半導体構成素子。
IPC (2件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L 29/91 D ,  H01L 29/48
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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