特許
J-GLOBAL ID：201403061485635950

Ag合金導電膜及び膜形成用スパッタリングターゲット

発明者：
野中 荘平

野中 荘平 について

, 
中澤 弘実

中澤 弘実 について

, 
菊池 文武

菊池 文武 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (3件)： 影山 秀一 ,  三宅 正之 ,  富田 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-141995
公開番号（公開出願番号）：特開2014-005503
出願日： 2012年06月25日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【課題】耐熱性、耐塩化性などの耐性に優れたAg合金膜及びその膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Ag合金導電膜、およびスパッタリングターゲットは、Sb:0.1〜3.5at%と、Al及びMnのいずれか1種又は2種:0.03〜1.0at%とを含有し、残部がAg及び不可避不純物からなる組成成分を有し、Ag合金膜の表面に、Sb酸化物が形成されている。Ag合金導電膜の耐熱性、耐塩化性などの向上を図れる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Sb:0.1〜3.5at%と、Al及びMnのいずれか1種又は2種:0.03〜1.0at%とを含有し、残部がAg及び不可避不純物からなる組成成分を有するAg合金膜であって、 前記Ag合金膜の表面に、Sb酸化物が形成されていることを特徴とするAg合金導電膜。
IPC (4件)：
C22C 5/06 ,  C22F 1/14 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/06
FI (4件)：
C22C5/06 Z ,  C22F1/14 ,  C23C14/34 A ,  C23C14/06 L
Fターム (8件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA22 ,  4K029BC01 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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