特許
J-GLOBAL ID：200903000490332168
電磁波シールド用Ag合金膜、電磁波シールド用Ag合金膜形成体および電磁波シールド用Ag合金膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
梶 良之
, 須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122314
公開番号（公開出願番号）：特開2004-263290
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】Agの凝集が生じ難く、ひいては優れた耐久性を有する電磁波シールド用Ag合金膜、電磁波シールド用Ag合金膜形成体、及び、このような電磁波シールド用Ag合金膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】(1) Bi及び/又はSbを合計で0.01〜10at% 含有する電磁波シールド用Ag合金膜、(2) これらの元素に加えて、Cu,Au,Pd,Rh,Ru,Ir,Ptの1種以上を0.3at%以上含む電磁波シールド用Ag合金膜、(3) これらのAg合金膜が基体上に形成された形成体、(4) Bi:0.2〜23at% 、Sb:0.01〜10at% の1種以上を含有すると共にBi量及びSb量が下記式〔但し、下記式において、x:Bi量(at%) 、[Sb]:Sb量(at%) である〕を満足するAg合金スパッタリングターゲット等。0.01at% ≦0.000502x3 + 0.00987x2 +0.0553x+[Sb]≦10at%【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Biおよび/またはSbを合計で0.01〜10原子%含有することを特徴とする電磁波シールド用Ag合金膜。
IPC (3件)：
C22C5/06
, C23C14/34
, H05K9/00
C22C5/06 Z
, C23C14/34 A
, H05K9/00 V
, H05K9/00 W
4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA21
, 4K029BA45
, 4K029BA48
, 4K029BB02
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 4K029CA06
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4K029DC15
, 4K029EA01
, 5E321AA04
, 5E321BB23
, 5E321BB53
, 5E321GG05
, 5E321GH01
