特許
J-GLOBAL ID：201403062339879339
ナノインプリント方法、その方法に使用されるモールドおよびその方法を利用したパターン化基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-236717
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086668
出願日： 2012年10月26日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：
【課題】ナノインプリントにおいて、メインパターン上での離型欠陥の発生をより低減することを可能とする。【解決手段】ナノインプリント方法において、離型終端Eがパターン領域10の最小外接円CCに内包される領域から外れるように、離型終了時のモールド1の撓み中心C1が、最小外接円CCの中心位置に相当するモールド1のパターン中心P1からずれた状態、および、離型終了時の基板2の撓み中心C2が、最小外接円CCの中心位置に対応する基板2のパターン中心P2からずれた状態の少なくとも一方の状態で、モールド1および基板2を撓ませながらモールド1をレジストから剥離する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に塗布されたレジストに微細な凹凸パターンを転写するナノインプリント方法において、
微細な凹凸パターンが形成されたパターン領域を1つのみ有するモールドを使用し、
前記モールドの前記凹凸パターンをレジストに押し付ける押付工程と、
前記モールドおよび前記基板を撓ませながら前記モールドを前記レジストから剥離する剥離工程とを有し、
前記剥離工程の離型終了時において、下記式1が満たされる状態で前記モールドを前記レジストから剥離することを特徴とするナノインプリント方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, B29C59/02 Z
4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH38
, 4F209AJ06
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PN13
, 4F209PQ11
, 4F209PQ14
, 5F146AA32
, 5F146AA34
