特許

J-GLOBAL ID：201403063027614350

ウェハーや単結晶インゴットの品質評価方法及びこれを利用した単結晶インゴットの品質制御方法

発明者： チャン、ユン-ソン ,  ホン、ユン-ホ ,  ユン、ヨ-ハン ,  キム、セ-フン
出願人/特許権者： エルジー シルトロン インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 木村 満 ,  毛受 隆典 ,  森川 泰司 ,  雨宮 康仁 ,  桜田 圭 ,  美恵 英樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-518823
公開番号（公開出願番号）：特表2014-518196
出願日： 2012年07月03日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
要約：

本発明は、ウェハーや単結晶インゴットの品質評価方法及びこれを利用した単結晶インゴットの品質制御方法に関するものである。本発明のウェハーや単結晶インゴットの品質評価方法は、ウェハーや単結晶インゴットのスライスに対する銅ヘイズ評価を実施するステップと、前記銅ヘイズ評価結果に対して銅ヘイズスコアリングをするステップと、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ウェハーや単結晶インゴットのスライス(slice)に対する銅ヘイズ(Cu haze)評価を実施するステップと、 前記銅ヘイズ評価結果に対して銅ヘイズスコアリング(Cu haze Scoring)をするステップと、 を含むウェハーや単結晶インゴットの品質評価方法。

IPC (1件)：

C30B 29/06

FI (1件)：

C30B29/06 B

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH09 ,  4G077FE11 ,  4G077FG11 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン単結晶の引上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-222774   出願人：株式会社SUMCO