特許
J-GLOBAL ID：201103068368554119
シリコン単結晶の引上げ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-222774
公開番号（公開出願番号）：特開2011-068531
出願日： 2009年09月28日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】引上げ方向全域にわたって欠陥が少なくかつこの欠陥のバラツキが少ないシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。【解決手段】チャンバ12に収容されたるつぼ13にシリコン融液15を貯留し、このシリコン融液15に種結晶25を浸漬して回転させながらCOP(Crystal Originated Particle)及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶11を引上げる。COP及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶11を引上げるための上限引上げ速度及び下限引上げ速度をそれぞれvA及びvBとし、COP及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶11を引上げるための引上げ速度の速度マージンを(vA-vB)とするとき、シリコン単結晶11の引上げバッチ毎に速度マージンの中央値(vA+vB)/2を目標引上げ速度として実際の引上げ速度をフィードバックしながらシリコン単結晶11を順次引上げる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバに収容されたるつぼにシリコン融液を貯留し、このシリコン融液に種結晶を浸漬して回転させながらCOP及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶を引上げる方法において、
前記COP及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶を引上げるための上限引上げ速度及び下限引上げ速度をそれぞれvA及びvBとし、前記COP及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶を引上げるための引上げ速度の速度マージンを(vA-vB)とするとき、前記シリコン単結晶の引上げバッチ毎に前記速度マージンの中央値(vA+vB)/2を目標引上げ速度として実際の引上げ速度をフィードバックしながら前記シリコン単結晶を順次引上げることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 502J
, C30B15/20
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH06
, 4G077EH09
, 4G077HA12
, 4G077PF17
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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