特許

J-GLOBAL ID：201403063178564320

半導体記憶装置

発明者： 丸亀 孝生 ,  栗田 貴宏 ,  佐々木 勇輝 ,  陳 ジィエジィ ,  東 悠介 ,  三谷 祐一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  宮田 英毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-284909
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127116
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：

【課題】書き込みに伴って無駄な空き領域が発生することを防止可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、第1記憶部と、第2記憶部と、書き込み制御部とを備える。第1記憶部は、ホスト装置から供給されるデータを含む情報を記憶する。第2記憶部は、第1記憶部からの情報の読み出しに用いられた論理アドレスを記憶する。書き込み制御部は、ホスト装置から第1記憶部に対する書き込みが要求されたデータのサイズが閾値未満の場合は、第2記憶部に記憶された論理アドレスをデータに付加して、第1記憶部に書き込む制御を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ホスト装置から供給されるデータを記憶する第1記憶部と、 前記第1記憶部からの前記データの読み出しに用いられた論理アドレスを記憶する第2記憶部と、 前記ホスト装置から前記第1記憶部に対する書き込みが要求された前記データのサイズが閾値未満の場合は、前記第2記憶部に記憶された前記論理アドレスを前記データに付加して、前記第1記憶部に書き込む制御を行う書き込み制御部と、を備える、 半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G06F 3/06 ,  G06F 3/08

FI (4件)：

G06F3/06 301J ,  G06F3/08 H ,  G06F3/06 301R ,  G06F3/06 301K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性メモリシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-294184   出願人：株式会社東芝
• シリアルフラッシュメモリにおけるXIPのための優先順位に基づくフラッシュメモリ制御装置及びこれを用いたメモリ管理方法、これによるフラッシュメモリチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-106979   出願人：三星電子株式会社
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-067145   出願人：株式会社日立製作所
• 計算機システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-249899   出願人：株式会社日立製作所