特許
J-GLOBAL ID：201403063267622040

表示基板の製造方法

発明者：
鄭 斗 喜

鄭 斗 喜 について

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朴 廷 敏

朴 廷 敏 について

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文 鏡 洙

文 鏡 洙 について

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李 羲 國

李 羲 國 について

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尹 珠 愛

尹 珠 愛 について


出願人/特許権者：
三星ディスプレイ株式會社

三星ディスプレイ株式會社 について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-186731
公開番号（公開出願番号）：特開2012-252360
特許番号：特許第5616407号
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 互いに交差するゲートライン及びデータラインを含む信号ラインによって定義された複数の単位画素を有する表示領域と前記表示領域を取り囲む周辺領域を含む基板上にパッシベーション層を形成する段階と、 前記パッシベーション層が形成された基板上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、 前記フォトレジスト膜をパターニングして、前記表示領域で前記信号ラインとオーバーラップされて中央に第1の厚さを有し端部に前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する第1パターン部と、前記周辺領域で前記信号ラインと重畳されない領域に形成された複数のダミー開口部を含む第2パターン部とを形成する段階と、 前記第1及び第2パターン部を利用して前記パッシベーション層を第1エッチングし、前記信号ラインが互いに重畳していない領域で前記基板を露出させる段階と、 前記第1及び第2パターン部を一定厚み除去して、前記第2の厚さを有する前記第1パターン部と重畳する前記パッシベーション層を露出させる段階と、 一定厚み除去された前記第1及び第2パターン部を利用して前記露出されたパッシベーション層を第2エッチングし、前記パッシベーション層の側面にアンダーカッティングを形成する段階と、 前記第1パターン部及び第2パターン部が形成された基板上に透明電極層を形成する段階と、 前記アンダーカッティングを通じて浸透するストリップ溶液で前記第1パターン部、第2パターン部、及び前記第1及び第2パターン部上に形成された前記透明電極層を除去して、前記単位画素に対応する画素電極及び前記ダミー開口部に対応するダミー電極を形成する段階と、 を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G02F 1/136 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 29/78 612 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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