特許
J-GLOBAL ID：201403064697546794

アルミニウム-ダイヤモンド系複合体放熱部品

発明者：
石原 庸介

石原 庸介 について

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宮川 健志

宮川 健志 について

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成田 真也

成田 真也 について


出願人/特許権者：
電気化学工業株式会社

電気化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-260697
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107468
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
要約：
【課題】 高熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、高出力の半導体素子のヒートシンク等として使用するのに、高負荷での実使用において、表面金属層部分に膨れ等の発生を抑制できる高信頼性のアルミニウム-ダイヤモンド系複合体放熱部品を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド粒子を40体積%〜70体積%含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが0.4〜6mmのアルミニウム-ダイヤモンド系複合体であって、両主面が膜厚0.03〜0.2mmのアルミニウムを含有する金属を80体積%以上含有する表面層で被覆され、少なくとも両主面に、主面側から(1)膜厚が0.5〜6.5μmのNi層、(2)膜厚が0.5〜6.5μmのNi層、(3)膜厚が0.05〜4μmのAu層からなる金属層を順次有し、Ni層とNi合金層の合計が1.0〜10μmであることを特徴とする半導体素子用放熱部品を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド粒子を40体積%〜70体積%含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが0.4〜6mmのアルミニウム-ダイヤモンド系複合体であって、両主面が膜厚0.03〜0.2mmのアルミニウムを含有する金属を80体積%以上含有す る表面層で被覆され、少なくとも両主面に、主面側から(1)膜厚が0.5〜6.5μmのNi層、(2)膜厚が0.5〜6.5μmのアモルファスのNi合金層、(3)膜厚が0.05μm以上のAu層からなる金属層を順次有し、Ni層とNi合金層の合計が1.0〜10μmであることを特徴とする半導体素子用放熱部品
IPC (1件)：
H01L 23/373
FI (1件)：
H01L23/36 M
Fターム (7件)：
5F136DA31 ,  5F136DA34 ,  5F136FA02 ,  5F136FA24 ,  5F136FA41 ,  5F136FA82 ,  5F136FA83
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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