特許
J-GLOBAL ID：201403065355762513

結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法

発明者：
宇津 恒

宇津 恒 について

, 
足立 大輔

足立 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社カネカ

株式会社カネカ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-074844
公開番号（公開出願番号）：特開2014-199876
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
要約：
【課題】所定の裏面電極を形成することで、曲率因子の低下を抑制し、高効率で信頼性の高い結晶シリコン系太陽電池を安価に提供することができる。【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板の第一の主面側に、光入射側シリコン系薄膜層、光入射側透明電極層、表面電極をこの順に有し、前記基板の第二の主面側に、裏面側シリコン系薄膜層、裏面側透明電極層、裏面電極をこの順に有する結晶シリコン系太陽電池であって、前記裏面電極は、透明電極層側から第一導電層、第二導電層をこの順に有する。前記第二導電層は、銅を主成分とし、かつ、少なくとも前記第一導電層を覆い、前記透明電極層に接するように形成されていることが好ましい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一導電型単結晶シリコン基板の第一の主面側に、光入射側シリコン系薄膜層、光入射側透明電極層、表面電極をこの順に有し、前記基板の第二の主面側に、裏面側シリコン系薄膜層、裏面側透明電極層、裏面電極をこの順に有する結晶シリコン系太陽電池であって、 前記裏面電極は、透明電極層側から第一導電層と第二導電層とをこの順に有し、 前記第二導電層は、銅を主成分とし、少なくとも前記第一導電層を覆い、かつ、前記裏面側透明電極層に接するように形成されている、結晶シリコン系太陽電池。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L31/04 H ,  H01L21/28 301R
Fターム (29件)：
4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F151AA02 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA15 ,  5F151DA04 ,  5F151EA15 ,  5F151EA19 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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