特許
J-GLOBAL ID：201403065778028263
光結合装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061150
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187210
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】薄型化および実装面積の小型化が容易な光結合装置を提供する。【解決手段】光結合装置は、発光素子10と受光素子20と、接着層34と入力端子30と出力端子40と、樹脂成型体70と、を有する。発光素子は、支持基板と、半導体積層体と、第1および第2の電極と、を有する。支持基板は、透光性を有する。第1および第2の電極は、支持基板とは反対の側の半導体積層体の面に設けられる。発光素子は、支持基板の第1の面に発光層から放出される放出光の光出射面を有する。受光素子は、pn接合からなる受光面と、第1の電極と、第2の電極と、を有する。接着層は、支持基板の第1の面と受光素子の受光面の側とを接着し、透光性および絶縁性を有する。出力端子は、受光素子と接続され、入力端子と絶縁される。第1の面に対して垂直な方向からみて、受光面は光出射面に含まれる。発光素子への入力電気信号は、受光素子により出力電気信号に変換される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面と前記第1の面とは反対の側の第2の面とを有するGaAs基板と、前記GaAs基板の前記第2の面に設けられ発光層を含む半導体積層体と、前記GaAs基板とは反対の側の前記半導体積層体の面に設けられた第1および第2電極と、を有する発光素子であって、前記発光層からの放出光の波長は前記GaAs基板のバンドギャップ波長よりも長く、前記GaAs基板の前記第1の面に光出射面を有する発光素子と、
直列接続された2つのpn接合を含む受光面と、第1のpn接合の第1の導電形領域と接続された第1の電極と、第2のpn接合の第2の導電形領域と接続された第2の電極と、を有する受光素子と
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F089AB13
, 5F089AC10
, 5F089CA20
, 5F089DA14
, 5F089FA05
, 5F089FA06
