炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-275465
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120641
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：

【課題】本発明はオン抵抗の低減とゲート酸化膜の信頼性を両立する炭化珪素半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、第1導電型のSiC基板11と、SiC基板11上に形成された第1導電型のエピタキシャル層12と、エピタキシャル層12の表層に選択的に形成された第2導電型のウェル領域13と、ウェル領域13の表層に選択的に形成された第1導電型のソース領域14と、ソース領域14とエピタキシャル層12に挟まれたウェル領域13の表面上からエピタキシャル層12の表面上に亘って形成されたゲート酸化膜21と、ゲート酸化膜21上に形成されたゲート電極22とを備え、ゲート酸化膜21とエピタキシャル層12の界面に負の固定電荷31を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のSiC基板と、前記SiC基板上に形成された第1導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表層に選択的に形成された第2導電型のウェル領域と、前記ウェル領域の表層に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、前記ソース領域と前記エピタキシャル層に挟まれた前記ウェル領域の表面上から前記エピタキシャル層の表面上に亘って形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極とを備え、前記ゲート酸化膜と前記エピタキシャル層の界面に負の固定電荷を有する、炭化珪素半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/49 , H01L 29/423 , H01L 29/41

FI (7件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 652G , H01L29/78 652E , H01L29/78 658F , H01L29/58 G , H01L29/44 S

Fターム (25件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF02 , 4M104FF07 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-430203 出願人：日産自動車株式会社

審査官引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-430203 出願人：日産自動車株式会社

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