半導体ヘテロ粒子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-189724
公開番号（公開出願番号）：特開2014-046236
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：

【課題】2種類の異なる半導体粒子を備えており、電子メディエータを使用しなくても光触媒機能が発現する半導体ヘテロ粒子を提供すること。【解決手段】第1の半導体粒子1aと、第1の半導体粒子1aに接合している第1の金属粒子2aと、第2の半導体粒子1bと、第2の半導体粒子1bに接合している第2の金属粒子2bと、を備えており、第1の半導体粒子1aの伝導帯下端の電位が第2の半導体粒子1bの価電子帯上端の電位よりネガティブであり、第1の金属粒子2aおよび第2の金属粒子2bの仕事関数が、それぞれ独立に、第1の半導体粒子1aの伝導帯下端の電位および第2の半導体粒子1bの価電子帯上端の電位のいずれか一方と同等である、あるいはこれらの電位の間に位置している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体粒子と、第1の半導体粒子に接合している第1の金属粒子と、第2の半導体粒子と、第2の半導体粒子に接合している第2の金属粒子と、を備えており、第1の半導体粒子の伝導帯下端の電位が第2の半導体粒子の価電子帯上端の電位よりネガティブであり、第1および第2の金属粒子の仕事関数が、それぞれ独立に、第1の半導体粒子の伝導帯下端の電位および第2の半導体粒子の価電子帯上端の電位のいずれか一方と同等である、あるいはこれらの電位の間に位置している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。

IPC (14件)：

B01J 35/02 , C01G 35/00 , C01B 3/04 , B01J 27/24 , B01J 23/68 , B01J 23/89 , C01G 23/047 , C01G 23/00 , C01G 41/02 , C01G 9/02 , C01G 31/00 , C01G 49/00 , C01G 3/02 , B01J 23/85

FI (16件)：

B01J35/02 J , C01G35/00 Z , C01B3/04 A , B01J27/24 M , B01J23/68 M , B01J23/89 M , C01G23/047 , C01G23/00 C , C01G41/02 , C01G9/02 A , C01G31/00 , C01G35/00 D , C01G49/00 C , C01G3/02 , C01G49/00 A , B01J23/85 M

Fターム (51件)：

4G002AA06 , 4G002AE05 , 4G047AA02 , 4G047AB05 , 4G047AC03 , 4G047AD03 , 4G047CA01 , 4G047CA02 , 4G047CA07 , 4G047CB09 , 4G047CC03 , 4G047CD03 , 4G048AA03 , 4G048AB03 , 4G048AC08 , 4G048AD03 , 4G169AA03 , 4G169BA04B , 4G169BA48A , 4G169BB02A , 4G169BB02B , 4G169BB04B , 4G169BB06B , 4G169BB11B , 4G169BC09B , 4G169BC12B , 4G169BC25A , 4G169BC25B , 4G169BC31A , 4G169BC31B , 4G169BC33B , 4G169BC35A , 4G169BC35B , 4G169BC50A , 4G169BC50B , 4G169BC54B , 4G169BC56A , 4G169BC56B , 4G169BC60A , 4G169BC60B , 4G169BC66A , 4G169BC66B , 4G169BC75B , 4G169BD06B , 4G169CC33 , 4G169EC03Y , 4G169HA01 , 4G169HB01 , 4G169HB06 , 4G169HD03 , 4G169HE09

引用特許：

審査官引用 (1件)

新規な光反応用触媒及びそれを使用する光触媒反応方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-237424 出願人：工業技術院長

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