特許
J-GLOBAL ID：201403068410484918

化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、マスクブランクス、及びレジストパターン形成方法

発明者：
土村 智孝

土村 智孝 について

, 
鶴田 拓也

鶴田 拓也 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (3件)： 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-129362
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254081
出願日： 2012年06月06日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
【課題】電子線や極紫外線を使用した露光による微細なパターンの形成において、高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、スカムの低減、ドライエッチング耐性の向上、PEB温度依存性の低下、及び、PED安定性の向上を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位(a)、フェノール性水酸基、及び、酸架橋性基を有する化合物(α)を含有する化学増幅型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位(a)、フェノール性水酸基、及び、酸架橋性基を有する化合物(α)を含有する化学増幅型レジスト組成物。
IPC (6件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  C08F 212/14 ,  C08F 8/50 ,  C08F 8/00 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F212/14 ,  C08F8/50 ,  C08F8/00 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/004 503A
Fターム (60件)：
2H125AC12 ,  2H125AE04P ,  2H125AE05P ,  2H125AE12P ,  2H125AE22P ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AL02 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM12P ,  2H125AM13P ,  2H125AM15P ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN02P ,  2H125AN08P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN63P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA05R ,  4J100BA56P ,  4J100BA58P ,  4J100BB13P ,  4J100BD12P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100DA39 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GB01 ,  4J100HA51 ,  4J100HA53 ,  4J100HE21 ,  4J100HE26 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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