特許
J-GLOBAL ID:201203034906152684

化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-041528
公開番号(公開出願番号):特開2012-177836
出願日: 2011年02月28日
公開日(公表日): 2012年09月13日
要約:
【解決手段】高エネルギー線照射で発生する酸を触媒として、架橋剤及び/又はレジストポリマー中の架橋性官能基を有する繰り返し単位により、レジストポリマー間に架橋が形成され、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、レジストポリマーが、(1)側鎖に酸発生基を有する(メタ)アクリル酸エステル類単位、(2)側鎖に縮合芳香環を有する(メタ)アクリル酸エステル類単位、(3)アセナフチレン類単位、(4)インデン類単位の繰り返し単位を含有する。【効果】本発明によれば、酸発生能化合物のレジスト膜中の微細な分布及び拡散をより均一にすることができ、有効な感度を有利に確保できると共に、LERの改善、更には酸の基板界面の失活が抑制でき、ネガ型レジスト組成物特有のアンダーカットの度合いが小さいレジストプロファイルの形成を可能とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
高エネルギー線の照射により発生する酸を触媒として、架橋剤及び/又はレジストポリマー中の架橋性官能基を有する繰り返し単位により、レジストポリマー間に架橋が形成され、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、レジストポリマーが、下記一般式(1)の繰り返し単位と下記一般式(2)、(3)及び(4)から選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有するレジストポリマーであり、
IPC (6件):
G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/38 ,  C08F 212/02 ,  C08F 232/08 ,  H01L 21/027
FI (7件):
G03F7/038 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/38 ,  C08F212/02 ,  C08F232/08 ,  H01L21/30 502R
Fターム (42件):
2H125AE04P ,  2H125AE22P ,  2H125AF15P ,  2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AM12P ,  2H125AM13P ,  2H125AM15P ,  2H125AM22P ,  2H125AN02P ,  2H125AN39P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC17 ,  4J100AB04R ,  4J100AB07P ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100AR09Q ,  4J100BA02S ,  4J100BA03P ,  4J100BA05T ,  4J100BA11T ,  4J100BA50S ,  4J100BC43S ,  4J100BC73T ,  4J100CA03 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC07 ,  4J100GC16 ,  4J100GC25 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る